Tranzystory pracujące w układach elektronicznych lad chłodniczych

Tranzystory pracujące w układach elektronicznych lad chłodniczych

Tranzystor ze względu na swe właściwości znalazła zastosowanie niemal w każdym układzie elektronicznym, dlatego pracują też i to z powodzeniem w nowoczesnych ladach chłodniczych

Tranzystor warstwowy składa się z płytki półprzewodnikowej o dwóch obszarach o tym samym typie przewodnictwa, przedzielonych cienką warstewką o grubości setnych części mm o przewodnictwie typu przeciwnego. Rzadziej się spotyka tranzystory typu n-p-n.

W tranzystorze typu p-n-p występują dwa złącza: jed­no p-n, drugie n-p. Do poszczególnych części (obszarów) tranzy­stora przylegają elektrody metalowe, do których doprowadza się napięcie biegunowości zaznaczonej na schemacie. Elektrodę boczną lewą spolaryzowaną w kierunku przewodzenia nazywamy emite­rem, elektrodę boczną prawą spolaryzowaną w kierunku zaporo­wym — kolektorem, a środkową wąską — bazą.

Przed doprowadzeniem napięć na złączach między emiterem i bazą oraz między bazą a kolektorem powstają bariery potencjału.

Z chwilą doprowadzenia napięć do obwodu emiter-baza rzędu ok. 0,5-j-l V, do obwodu baza-kolektor rzędu kilku­dziesięciu woltów popłyną w tranzystorze zainstalowanym w układzie lady chłodniczej prądy. W obwodzie emiter-baza zwrot doprowadzonego napięcia jest zgodny ze zwrotem przewodzenia, więc pomimo małych wartości napięcia popłynie prąd powstający na skutek przechodzenia dziur z emi­tera do bazy. W bazie bardzo mała ich ilość rekombinuje z elek­tronami swobodnymi, natomiast większość pod wpływem napię­cia przechodzi do kolektora tworząc prąd o natężeniu tego samego rzędu, co i prąd emitera, zatem prąd w obwodzie kolektora ma stała wartość.

Właściwości prostowników wykorzystano do budowy tranzysto­rów, które w urządzeniach elektronicznych pracują tak jak triody próżniowe. Najpierw wynaleziono tranzystor ostrzowy, a później złączowe, nazywane też tranzystorami warstwowymi, które dziś są szeroko stosowane.

Napięcie emiter-baza jest bardzo małe, natomiast napię­cie kolektor-baza jest wielokrotnie większe niż napięcie. Mała zmiana napięcia wydatnie wpływa na ilość dziur przecho­dzących do kolektora. A zatem przez zmianę napięcia bazy można sterować prądem kolektora. Tranzystor ma, więc zdolność wzmacniania mocy, ponieważ prąd przy niskim napięcie (moc wejściowa wpływa na zmiany prawie równego prądu płynącego pod wielokrotnie wyższym napięciem (moc wyjściowa). Występuje tu podobieństwo działania na­pięcia bazy tranzystora do działania napięcia siatki w triodzie próżniowej. Stąd też nazwa tranzystora lampa półprzewodni­kowa.

W porównaniu z lampami elektronowymi próżniowymi tranzy­story wykazują szereg zalet, a więc są oszczędniejsze w eksploa­tacji, nie wymagają stosowania źródła energii dla żarzenia, lecz tylko wymagają zasilania obwodu kolektorowego, przy czym pra­cują przy mniejszych napięciach niż lampy elektronowe, odzna­czają się większą trwałością, małymi wymiarami i odpornością na wstrząsy. Poważnym natomiast brakiem tranzystorów jest ich wrażliwość na wyższe temperatury. W temperaturze powyżej 70°C tranzystory pracują niestabilnie.

Przez wprowadzenie do sieci krystalicznej germanu lub krzemu domieszki z pierwiastka o wartości równej 3, np. boru, indu, które mają trzy elektrony walencyjne, zmieniają się właściwości przewodzenia germanu lub krzemu. W siatce krystalicznej ger­manu zabraknie więc jednego elektronu do wytworzenia 4 powią­zań. Brak elektronu stwarza puste miejsce, czyli dziurę, która może być nośnikiem prądu elektrycznego. Taki pół­przewodnik nazywa się półprzewodnikiem typu p. Domieszki powodujące tworzenie się dziur w półprzewodniku nazywają się akceptorami.


Ocena: 3/5 (1 głosów)  


Szczegóły wpisu:


Odwiedziny botów:
  • googlebot: 38 (ostatnio: 06.07.2019 14:45:55)
  • yahoo: 12 (ostatnio: 06.01.2018 21:58:10)

Podlinkuj wpis: